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厂商型号

BC857BTT1 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT 100mA 50V PNP

内部编号

277-BC857BTT1

生产厂商

ON Semiconductor

ONSEMI

#1

数量:62168
最小起订量:1
马来西亚吉隆坡
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#2

数量:62168
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数量:57000
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BC857BTT1产品详细规格

规格书 BC857BTT1 datasheet 规格书
BC857(B,C)TT1
文档 Multiple Devices 30/Jun/2006
Rohs Contains lead / RoHS non-compliant
产品更改通知 Discontinuation 30/Jun/2006
标准包装 3,000
晶体管类型 PNP
- 集电极电流(Ic)(最大) 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 45V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 650mV @ 5mA, 100mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 220 @ 2mA, 5V
功率 - 最大 225mW
频率转换 100MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 SC-75, SOT-416
供应商器件封装 SC-75, SOT-416
包装材料 Tape & Reel (TR)
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
RoHS No
配置 Single
晶体管极性 PNP
集电极 - 基极电压VCBO - 50 V
集电极 - 发射极最大电压VCEO - 45 V
发射极 - 基极电压VEBO 5 V
集电极 - 发射极饱和电压 - 45 V
集电极最大直流电流 0.1 A
增益带宽产品fT 100 MHz
直流集电极/增益hfe最小值 150 at 10 uA at 5 V
最高工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装/外壳 SC-75-3
连续集电极电流 - 0.1 A
最大功率耗散 0.2 W
最低工作温度 - 55 C
封装 Reel
工厂包装数量 3000
寿命 Obsolete
电流 - 集电极( Ic)(最大) 100mA
晶体管类型 PNP
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 100MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 650mV @ 5mA, 100mA
标准包装 3,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 45V
供应商设备封装 SC-75, SOT-416
功率 - 最大 225mW
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 220 @ 2mA, 5V
RoHS指令 Contains lead / RoHS non-compliant

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